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MJC Elektrotechnik GmbH

Am Gielbrunnen 17, DE-67304 Eisenberg
Lieferung
Lieferung: Europa
Gegründet
Gegründet: 1997
Mitarbeiter
Mitarbeiter: 20-49
Lieferantentyp
Info
Großhändler
Händler
Dienstleister
Zertifikate(5)
DIN EN ISO 9001:2015
IQNet ISO 9001:2015
IRIS
REACH
RoHS 2015/863/EU
Firmenüberblick
Spezialist für Bauteile der Leistungselektronik. Vertragsdistributor renommierter Hersteller aktiver, passiver und elektromechanischer Bauelemente mit erstklassiger Unterstützung Ihrer Entwicklungen.

16 Produkte und Services

SiC-MOSFET-Modul MD300HFR120B3S
SiC-MOSFET-Modul MD300HFR120B3S

SiC-MOSFET-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Ic=300A@80°C, Vces=1200V, flaches (niedriginduktives) 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower...

Thyristormodul MCC56-16io1B
Thyristormodul MCC56-16io1B

Doppel-Thyristormodul im TO-240-Gehäuse, Phaseleg-Konfiguration, ITAV=60A@85°C, Vrrm/Vdrm=1600V, Hersteller IXYS/Littelfuse, kann uneingeschränkt die...

Diodenmodul MDD95-16N1B
Diodenmodul MDD95-16N1B

Doppel-Diodenmodul im TO-240-Gehäuse, Phaseleg-Konfiguration, ITAV=120A@100°C, Vrrm/Vdrm=1600V, Hersteller IXYS/Littelfuse, kann uneingeschränkt die ...

FRED-Diode DSEI2x121-02A
FRED-Diode DSEI2x121-02A

FRED-Doppeldiode, parallel, im SOT-227-Gehäuse, Ifav=2x123A@70°C, Vrrm=200V, trr=35ns, Hersteller IXYS/Littelfuse...

FRED-Diode DSEI2x101-12A
FRED-Diode DSEI2x101-12A

FRED-Doppeldiode, parallel, im SOT-227-Gehäuse, Ifav=2x91A@50°C, Vrrm=1200V, trr=40ns, Hersteller IXYS/Littelfuse...

SiC-MOSFET IXFN50N120SK
SiC-MOSFET IXFN50N120SK

Siliziumkarbid-MOSFET im SOT-227-Gehäuse, Ids=68A@25°C, Vdss=1200V, Hersteller IXYS/Littelfuse...

IGBT-Modul GD450HFY120C2S
IGBT-Modul GD450HFY120C2S

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=450A@100°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower...

IGBT-Modul GD400SGU120C2S
IGBT-Modul GD400SGU120C2S

IGBT-Modul, Einzelschalter, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=400A@80°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower...

IGBT-Modul GD150HFU120C2S
IGBT-Modul GD150HFU120C2S

IGBT-Modul GD100HFY120C1S, Phaseleg-Konfiguration, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=150A@80°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower...

IGBT-Modul GD100HFU120C1S
IGBT-Modul GD100HFU120C1S

IGBT-Modul GD100HFY120C1S, Phaseleg-Konfiguration, NPT-Ultrafast-Technologie, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower...

Thyristormodul MCC95-16io1B
Thyristormodul MCC95-16io1B

Doppel-Thyristormodul im TO-240-Gehäuse, Phaseleg-Konfiguration, ITAV=116A@85°C, Vrrm/Vdrm=1600V, Hersteller IXYS/Littelfuse, kann uneingeschränkt di...

IGBT-Modul GD100HFY120C1S
IGBT-Modul GD100HFY120C1S

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=100A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower...

FRED-Diode DSEI2x101-06A
FRED-Diode DSEI2x101-06A

FRED-Doppeldiode, parallel, im SOT-227-Gehäuse, Ifav=2x96A@70°C, Vrrm=600V, trr=35ns, Hersteller IXYS/Littelfuse...

IGBT-Modul GD200HFY120C2S
IGBT-Modul GD200HFY120C2S

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=200A@100°C, Vces=1200V, 62mm-Gehäuse, Hersteller Starpower...

IGBT-Modul GD75HFY120C1S
IGBT-Modul GD75HFY120C1S

IGBT-Modul, Phaseleg-Konfiguration, Trench-Technologie, Ic=75A@100°C, Vces=1200V, 34mm-Gehäuse, Hersteller Starpower...

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